ガリウムと窒素で構成する化合物半導体。バンドギャップが3.45eV（光の波長で約365nmに相当）とSiより3倍広い。この特性を生かして，主に光デバイスでの応用例が多い。インジウム（In）やアルミニウム（Al）を混ぜてバンドギャップを調整することで，青色発光ダイオード（LED）や青紫色半導体レーザといった発光デバイスがすでに実用化している。

　GaNで制作したデバイスは，バンドギャップを含めたその物理的パラメータから，五つの特徴を持つ。耐圧が高いこと，高温で動作すること，電流密度を大きくできること，スイッチングが高速であること，オン抵抗が小さいことだ。こうした特徴は，パワー・アンプ回路や電源回路，モータ制御回路といったパワー半導体の分野で有利となる。現在，SiC半導体と並ぶ次世代パワー半導体デバイスの候補として，GaNデバイスの研究開発が進んでいる。

表　GaNとSi，GaAs，SiCの材料物性比較（日経エレクトロニクス2006年6月5日号より抜粋）
表　GaNとSi，GaAs，SiCの材料物性比較