「そろそろSi 材料の限界が見えてきた。材料をガラリと変えないと，今後対応し切れない」。この考えが自動車メーカーの技術者の間で共通認識になった。半導体の分野では長い間，Si 材料をできるだけ延命させてきた。しかし，この状況が変わりつつある。国内や米国で市場が拡大しているハイブリッド車のインバータ回路に使うトランジスタやショットキー・ダイオードの半導体材料として，Si では力不足の感が強まっているからだ。これを受け，ポストSi の座の争いが熱を帯びてきた。次世代パワー半導体の最有力候補のSiC，それを猛追するGaN，さらに酸化モリブデン（MoO3）という新材料も参戦した。

　今のところ，ハイブリッド車のインバータ回路には，トランジスタにSi 材料を使うIGBTを載せている。このIGBTは現在，最大175℃で動作させることを想定している。この温度ではリーク電流が大きく，「Siを使ったトランジスタは動作限界に近い」（ある半導体メーカーの技術担当役員）という状況である。次世代のハイブリッド車では200℃動作を視野に入れており，Si 材料ではもはや対応できないとの見方が強い。