半導体技術の国際学会「2005 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2005）」が2005年12月5日～7日に米国ワシントンD.C.で開催される。65nm世代のCMOS技術や4Gビットのフラッシュ・メモリ，UWBといった高速通信向けのRF技術など，各社が現在量産に力を注ぐデバイス技術の多くは，実用化前にIEDMで注目を集めてきた。今回のIEDMでも，数年後の半導体技術を占う多くの発表が予定されている。

　例えば，論理LSIに向けた微細CMOSでは，2007年登場予定の45nm世代に向けた高速化技術や低消費電力化技術，既に量産が始まっている65nm世代のLSIの電気特性を向上させる技術の発表が相次ぐ。メモリ分野では，現行のフラッシュ・メモリやDRAMの次世代を担う新方式のメモリの成果発表がにぎわいを見せる。RF技術ではGaAs技術のトランジスタやSiGeバイポーラ・トランジスタに迫る高周波特性を備えた65nm世代のCMOSデバイスの発表がある。

　VHF帯向けフィルタをオンチップで実現したMEMS技術や，画素ピッチが1.7μmと極めて小さいCMOSセンサ，アクチュエータを駆動する有機半導体技術も注目を集めそうだ。以下ではIEDM 2005で話題になりそうな発表の概要をカテゴリごとに解説する。