insulated gate bipolar transistor

　電気エネルギーを制御するために使われる，半導体スイッチング素子の1つ。インバータ回路やDC-DCコンバータなどに使われる。一般に，同じ耐圧のパワーMOSFETと比べると，オン抵抗が小さい。ただし，スイッチング速度は遅い。

　IGBTは絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタの略称。ゲートにMOSFETを組み込んだバイポーラ・トランジスタで，MOSFETによりトランジスタを制御する。n型MOSFETの出力をpnp型のバイポーラ・トランジスタの入力にする。実際の構造としては，縦型のn型MOSFETのドレイン側にp+コレクタ層を加えた形になっている。

　Si基板上に平面状にp層とn層を形成していくプレーナ型（平面型）と，細くて深い溝を作り，ゲートとゲート酸化膜を埋め込んだトレンチ型がある。トレンチ型は，プレーナ型に比べてオン抵抗を低減することができる。