「ACアダプタが，かなり小さくなるのではないか。ノート・パソコンなどの携帯機器への内蔵も可能になるかもしれない」（パワー半導体の技術者）——。英Cambridge Semiconductor Ltd.（CamSemi社）は，スイッチング周波数を他社現行品の最大5倍にまで高めた横型IGBT（insulated gate bipolar transistor）を開発し，2004年12月に開催された半導体技術の国際学会「IEDM（International Electron Devices Meeting）2004」で発表した。同社の従来の横型IGBTでは30V程度だった耐圧を20倍の700Vに，スイッチング周波数を他社を含めた既存の横型IGBTに比べて2倍～5倍の500kHzに高めたという。電流密度も既存の横型IGBTに比べて3倍の30A/cm2になっている。