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VLSI Symposium 2010

2010年6月15日~6月18日、ホノルル

2010/06/01 00:00
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心電図から脳神経信号まで,さまざまな生体信号を取得するバイオ・センサが登場

 「2010 Symposium on VLSI Circuits」(2010年6月16~18日,米国ハワイ州ホノルルで開催)のセッション21「Biosensors」では,多様なバイオ・センサ技術が発表された。ECG(心電図)を効率よく検出するための…(記事を読む06/22 13:06

最新の高速プロセサ向けのクロック技術やコア間データ転送技術が集結

 「2010 Symposium on VLSI Circuits」(2010年6月16~18日,米国ハワイ州ホノルルで開催)のSession 8「High speed on-die network processor clocking」では,プロセ…(記事を読む06/21 20:33

A-D変換器のデジタル補正技術に興味深い提案,10GHz超のタイム・インターリーブA-D変換器や新型VCO-ΔΣA-D変換器に注目集まる

 「2010 Symposium on VLSI Circuits」のセッション15「High-Resolution and High Speed Data Converters」では,5件の注目すべき発表があった。オランダEindhoven Uni…(記事を読む06/21 20:01

SoC向けSRAMの低電圧化,多様な用途に合わせた技術適用が重要に

 SoC(system on a chip)に搭載されるSRAMの低電圧化を実現する各種のセル技術や制御技術が「2010 Symposium on VLSI Circuits」(2010年6月16~18日,米国ハワイ州ホノルルで開催)のSession…(記事を読む06/21 19:45

ADCの高性能・低電力が進展,10ビット・100Mサンプル/秒クラスで数mW

 A-D変換器(ADC)の高性能化と低電力化を両立させる技術開発が進んでいる。「2010 Symposium on VLSI Circuits」(2010年6月16~18日,米国ハワイ州ホノルルで開催)のSession23「Low-Powe…(記事を読む06/21 16:05

32nm以降の微細化を阻む,RTNの解析が進む

 LSIの微細化を妨げる要因として,近年,MOSトランジスタのしきい値電圧におけるランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)が注目を集めている。「2010 Symposium on VLSI technology」(2010年6月15~17日,米国ハワイ…(記事を読む06/21 15:22

無線通信ICの超低電力化や低コスト化を目指し,250mV電源チップなどが登場

 無線トランシーバICの低消費電力化や低コスト化を目指す様々な技術が,「2010 Symposium on VLSI Circuits」(2010年6月16~18日,米国ハワイ州ホノルルで開催)のSession 13「RF Circuits and …(記事を読む06/21 13:57

大容量品や混載を狙うReRAM,集積化を目指す多様な提案が相次ぐ

 「2010 Symposium on VLSI Technology」(2010年6月15~17日,米国ハワイ州ホノルルで開催)のSession8「RRAM」では,さまざまな材料や構造を用いたReRAM(resistive RAM)技術が報告された…(記事を読む06/19 22:54

各社が量産化を表明したhigh-k/メタル・ゲート,より複雑な現象の理解が進む

「2010 Symposium on VLSI Technology」(2010年6月15~17日,米国ハワイ州ホノルルで開催)のSession 17「Advanced CMOS III」では,次世代トランジスタに必須の技術であるhigh-k/メタル…(記事を読む06/19 14:17

SSDの書き込み速度を4.2Gビット/秒へ高める電源技術,東大などが開発

 SSD(solid state drive)のデータ書き込み速度を,従来比で60%増の4.2Gビット/秒へ高められる電源技術を,東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 准教授の竹内健氏のグループと東芝が共同で開発した。並列に動作するNANDフ…(記事を読む06/19 12:30

GeやIII-V族,高性能MOSFETの動作実証が相次ぐ

 「2010 Symposium on VLSI Technology」(2010年6月15~17日,米国ハワイ州ホノルルで開催)の会期3日日の午後には,非SiチャネルMOSFETに関する研究成果が集中的に発表された。Ge,III-V族半導体,そして…(記事を読む06/18 21:54

ルネサス,バラつきの克服に向けた新たなSRAM回路技術を開発,40nm世代で2.98Mビット/mm2を実現

ルネサス エレクトロニクスは,微細化に伴って増大するCMOS素子の特性バラつきを克服し,速度性能を維持したまま,適切な動作マージンを,より小面積で実現する新たなSRAM回路技術を開発した。(記事を読む06/18 20:15

東芝などが「3次元FPGA」を開発,SRAMをTFT技術で論理回路の上に積んでチップ面積を半減

東芝は,コバレントマテリアル,米Tier Logic Inc.,tei Technologyと共同で, CMOS論理回路の上にアモルファスSi TFT技術によるSRAMを3次元積層することで実現した,いわゆる「3次元FPGA」を半導体製造技術関連の国…(記事を読む06/18 19:09

ばらつき,SRAM,アナログ・モデル・・・,今後10年間のVLSI技術開発の方向性に関して議論

 「2010 Symposium on VLSI Technology」と「2010 Symposium on VLSI Circuits」の合同で企画されたジョイント・ランプ・セッションでは,「The Next Decade of VLSI Tec…(記事を読む06/18 14:59

ルネサス,RTN起因のSRAMの誤動作を観測およびシミュレーションする手法を開発

 ルネサス エレクトロニクスは,ランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN:random telegraph noise)が原因で生じるSRAMの誤動作を,観測および実用的な時間内でシミュレーションする手法を開発した。これにより,22nm世代以降といった先…(記事を読む06/18 07:00

異種材料の集積化技術,集中セッションに熱い注目

 「2010 Symposium on VLSI Technology」(2010年6月15~17日,米国ハワイ州ホノルルで開催)では,焦眉のテーマを集中的に議論する「Focus Session」が二つ設けられた。その一つが,Session 14「H…(記事を読む06/17 21:47

IBM,直径3nmのSiナノワイヤFETを用いた25段のリング・オシレータの動作を確認,10nm未満の世代を視野

米IBM T.J. Watson Research Centerは,直径が最小3nmのSiナノワイヤFETを利用した25段のCMOSリング・オシレータを試作し,実際に動作することを確認したと,半導体製造技術関連の国際会議「2010 Symposium…(記事を読む06/17 20:21

東京大学など,厚さ10μm未満のウエハーにFeRAMや論理回路を形成,「100チップ積層メモリを2mm以内で」

東京大学は,富士通マイクロエレクトロニクス(現富士通セミコンダクター),大日本印刷,富士通研究所,ディスコと共同で,厚さを10μm未満に薄くした半導体ウエハーに強誘電体メモリ(FeRAM)やCMOS論理回路を形成し,薄型化の前後でデバイス特性にほぼ変…(記事を読む06/17 19:15

医療用途の超低電力SoCが続々と登場

 今後急増が見込まれる,医療用途に特化した超低消費電力SoCの発表が「2010 Symposium on VLSI Circuits」(2010年6月16~18日,米国ハワイ州ホノルルで開催)のSession 2“Medical and Vision…(記事を読む06/17 19:02

SRAMのばらつきを「見える化」する観測技術が続出,しきい値電圧を製造後に適正化する技術も

 「2010 Symposium on VLSI Circuits」のセッション4「SRAM Variability」は,SRAMの低電圧化や大容量化をさらに推し進めるために各社が直面している量産レベルのばらつきやダイナミックな電源ノイズの特性への影…(記事を読む06/17 17:33

ルネサスが無線コネクタ技術を開発,直径1mmのアンテナで1cmの距離を伝送

 ルネサス エレクトロニクスは2010年6月16日(米国時間),直径1mmのオンチップ・アンテナで1cmの距離を15Mビット/秒のデータ転送速度で通信できる無線技術を,「2010 Symposium on VLSI Circuits」で発表した(講演…(記事を読む06/17 12:00

SRAMの製造バラつき耐性をテスト工程で高める手法,東大とSTARCが開発

 トランジスタの製造バラつきに起因するSRAMの動作不安定性を,チップ製造後のテスト工程で改善する手法を,東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 准教授の竹内健氏のグループと半導体理工学研究センター(STARC)が共同で開発した。0.5Vといっ…(記事を読む06/17 10:10

IBM連合,面積が0.063μm2と業界最小のSRAMセルを開発,22nm世代に向けフィンFETと既存の露光技術で実現

米IBM Researchと米GLOBALFOUNDRIES Inc.,Toshiba America Electronic Components Inc.,NECエレクトロニクス(現ルネサス エレクトロニクス)は,セル面積が0.063μm…(記事を読む06/16 19:04

22nm以降を担うFD-SOIデバイスとフィンFET,実用化間近の技術が続々

 現行のバルクMOSFETの微細化が難しくなる22nm世代以降のトランジスタ技術として,プレーナ(平面)型のFD-SOI(完全空乏型SOI)デバイスと立体チャネルによるフィンFETが注目を集めている。いずれも,チャネルに不純物を添加しないで済むことか…(記事を読む06/16 17:59

多値のスピン注入MRAMが登場,2個のTMR素子を3次元積層しビット・コストを半減

日立製作所は東北大学と共同で,多値(multi level cell:MLC)記憶が可能なスピン注入方式MRAM(spin-transfer torque memory:SPRAM)を,2010年6月15日に米国ホノルルで開幕した半導体製造技術関連の…(記事を読む06/16 17:27

東芝,40nm世代のSoCに向けた低電圧SRAM技術を発表

 東芝は,2009年から量産中の40nm世代のSoCに採用している低電圧SRAM技術を,「2010 Symposium on VLSI Technology」(2010年6月15~17日,米国ハワイ州ホノルル)で発表した(論文番号:3.3)。携帯機器…(記事を読む06/16 06:00

TSVなどの3次元技術を立ち上げるには「サプライ・チェーン全体での対応が必要」

半導体製造技術関連の国際会議「2010 Symposium on VLSI Technology」の開幕前日に開催されたショート・コース「Emerging Logic and Memory Technologies for VLSI Implemen…(記事を読む06/15 19:36

NANDは「チャージ・トラップ+3次元」で進化,ReRAMは「10nm未満の世代でNAND代替の可能性も」

半導体製造技術関連の国際会議「2010 Symposium on VLSI Technology」の開幕前日に当たる2010年6月14日に,次世代の論理LSIやメモリ技術に焦点を当てた「Emerging Logic and Memory Techno…(記事を読む06/15 18:47

6月にハワイで開催するLSI回路技術の国際会議「VLSI Circuitsシンポ」の注目論文,13件を一挙紹介

「2010 Symposium on VLSI Circuits」が6月16日-18日に米ハワイ州ホノルルで開催される。企業の参加意欲が回復したことで,論文の採択率は22%(採択数は92件)と難関だったが,それだけに「いずれも厳選された論文」(VLS…(記事を読む05/10 21:40

6月開催の「VLSI Technologyシンポ」,デバイス・回路の協調やIII-V族半導体に焦点

 半導体デバイス技術の国際会議「2010 Symposium on VLSI Technology」が,2010年6月15~17日に米国ハワイ州のホノルルで開催される。その開催概要や注目論文を,同シンポジウムのプログラム委員会が,5月10日の都内での…(記事を読む05/10 19:32

バルクSi基板を使うキャパシタレスDRAM,Innovative Siliconが開発

 米Innovative Silicon, Inc.は,バルクSi基板を使うキャパシタレスDRAMを開発した。動作電圧が1V以下と低く,DDR3規格に求められる動作速度や消費電力の水準を満たすという。これにより,「DRAMを完全に置き換えるための要素…(記事を読む03/23 22:13

<技術者塾>
電源制御と主回路の定式化手法(2日間)
~状態平均化法によるコンバータの伝達関数の導出と制御設計の基礎について事例を基にわかりやすく解説~



これまでの電源設計の教科書にはない新しい見地から基礎理論および実践例について解説するとともに、「系の安定度」の問題点と解決手法についても解説します。今年3月に発刊した「スイッチング電源制御設計の基礎」(日経BP社刊)をベースに最新の内容を解説いたします。詳細はこちら

【日時】:2015年9月28~29日 10:00~17:00 (開場9:30)予定
【会場】:化学会館(東京・御茶ノ水)
【主催】:日経エレクトロニクス

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