「2010 Symposium on VLSI Technology」（2010年6月15～17日，米国ハワイ州ホノルルで開催）のSession8「RRAM」では，さまざまな材料や構造を用いたReRAM（resistive RAM）技術が報告された。台湾National Tsing Hua UniversityとNational Chiao-Tung UniversityによるNi/GeO/STO/TaN構造（論文番号：8.1），NECによるRu/TaO2O5/TiO2/Ru構造（同8.2），中国Fudan UniversityとSemiconductor Manufacturing International Corp.（SMIC）によるTaN/CuxSiyO/Cu構造（同8.3），台湾Macronix International Co.,Ltd.によるCu-GST/TiTex/SiO2/W構造（同8.4），の4件である。
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