性能がペタフロップスの1000倍のエクサスケール・コンピューティング，実現に向けてIBMが挙げたキー技術とは？

半導体製造技術関連の国際会議「2009 Symposium on VLSI Technology」が2009年6月15日に京都で開幕した。開幕日の朝一番に始まるPlenary Session（全体会議）において，米IBM Corp.が，ペタフロップス…（記事を読む、06/15 19:02）

日立と米IBM，ゲート長20nmのトランジスタでランダム・テレグラフ・ノイズの定量測定に成功

日立製作所と米IBM Corp.は，ゲート長20nmのトランジスタで発生するランダム・テレグラフ・ノイズ（RTN）を定量的に確認したと発表した。具体的には，RTNが原因のしきい電圧値が平均値の10倍以上の幅でバラつくケースが0.1％の割合で存在するこ…（記事を読む、06/15 12:33）

NECエレ，40nm世代以降に向けたアナログ回路用バックグラウンド補正技術を開発

　一般にアナログ回路は，製造プロセスの微細化の恩恵を受けにくい。製造ばらつきによって，線形性などの特性が悪化するからだ。 　現在，この特性悪化を補正する手法がさまざま提案されている。例えば，高精度な基準信号源を使う手法や，デジタル信号処理で補正をか…（記事を読む、06/15 09:01）

NECら，書き込み電流を1ケタ低減できる混載向けMRAM技術を開発

　NECとNECエレクトロニクスは共同で，書き込み電流を従来に比べて1ケタ低減できる混載向けMRAM技術を開発した。先端SoC（system on a chip）の混載メモリに利用できるほか，論理回路のレジスタに応用すれば待機時電力ゼロのSoCを実現…（記事を読む、06/15 09:00）

ランダム・テレグラフ・ノイズの定式化にＮＥＣエレが成功，22nm以降の耐バラつき設計の確度が向上

NECエレクトロニクスは，ランダム・テレグラフ・ノイズ（RTN）の影響を定式化することに成功したと発表した。RTNは微細なトランジスタで発生するバラつきの一つで，それによってトランジスタの特性が動作中に変化し，回路が誤動作する恐れがある。これまでにも…（記事を読む、06/15 00:00）

「違うソサエティの知恵を求めるようになった」，東大の平本氏に技術潮流の変化を聞いた

　新しい材料や原理を使った半導体デバイス技術の発表が相次ぐ今回の「Symposium on VLSI Technology」。こうした動きの背景には，どのような技術潮流の変化があるのだろうか。同シンポジウムのプログラム委員であり，東京大学 生産技術研…（記事を読む、06/14 22:48）

開幕を明日に控え，登録者数は「SARS」の影響受けた2003年以来の低水準

　半導体デバイス/回路技術に関する国際学会「Simposia on VLSI Technology and Circuits」が明日，6月15日に開幕する。最近のデバイス関連学会の多分にもれず，参加者数は例年に比べて大幅に減少しそうだ。「不景気の影響…（記事を読む、06/14 22:17）