右端がハニカム・テクスチャを採用したセル
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ハニカム・テクスチャの直径は14μm
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三菱電機は，2008年2月14日に東京で開催した「研究開発成果披露会」で，開発中の多結晶Si太陽電池セルを初めて展示した。表面の反射率を低減してセル変換効率を高める「ハニカム・テクスチャ」と呼ぶ構造を採用したのが特徴である。セル変換効率は公的機関で測定中のため明言を避けたが，「18％以上を狙える技術」（同社説明員）とした。
ハニカム・テクスチャは，セル上に形成したSiNなどの膜に，レーザーで1億個の穴を開けた後に，混酸による等方性ウェット・エッチングで形成する。複数の穴をレーザーで同時に開ける技術によって，セル1枚当たりの加工時間を秒単位にできたという。
三菱電機はこれまでに，ハニカム・テクスチャと同様に表面の反射率を低減できるRIE（Reactive Ion Etching）テクスチャ技術などによって，セル変換効率を18％に高めた成果を発表してきた（Tech-On!関連記事）。今回のハニカム・テクスチャ技術は，真空装置がいらないためにRIEテクスチャ技術に比べて低コスト化できる上，セル変換効率も高められる可能性がある。
今後は，ハニカム・テクスチャ形成のためのレーザー加工のコストやセル変換効率の測定結果などを見て，RIEテクスチャ技術とハニカム・テクスチャ技術の量産適用の優先順位を決めるという。
