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三菱電機は，太陽電池に関する国際会議「PVSEC-17」で，多結晶Siセルの変換効率を18％に高めた成果を披露した。公的認証機関の産業技術総合研究所での測定結果である。「標準的な電極構造では最も高い数値。既存の製造ラインを活用できる利点がある」（同社）。三菱電機のほかには，京セラがバック・コンタクト構造を使って多結晶Siセルの変換効率を18.5％に高めている。
三菱電機は，2000年の国際会議で多結晶Siセルの変換効率を16.8％に高めた結果を発表している。今回は，（1）表面の凹凸を制御するRIEテクスチャ技術で17.3％に，これに（2）ダングリング・ボンドを水素で終端する技術を加えて17.7％に，さらに（3）配線の面積を減らす技術で18％まで高めた。
（1）のRIEテクスチャ技術は，直径が3μmのシリカの粒子をマスクとして，エッチングでウエーハ表面に数μmの凹凸を形成する技術である。シリカを含んだ溶液をウエーハ上に塗布することで自己整合的にシリカを並べているため，マスク形成コストを最小限に抑えられるとする。
（2）の水素終端技術と（3）の電極面積削減技術は，すでに一部の量産ラインに適用済みという。残る（1）は，新ライン導入時に適用を検討する。なお三菱電機は，2010年までに年間生産能力を250MWに高める計画を公表している。
