米University of California，Santa Barbara校（UCSB）と科学技術振興機構 創造科学技術推進事業（JST ERATO）の研究グループが開発した，GaN結晶の非極性面(nonpolar)上に作製した発光ダイオード（以下，非極性LED）と，半極性面(semipolar)上に作製したLED(以下，半極性LED)の詳細が明らかになった。同研究グループは2006年12月に，従来よりも外部量子効率を高めた非極性LED，半極性LEDとして成果を発表していたが（Tech-On!関連記事），論文誌への投稿中などの理由から詳細については明らかにしていなかった。今回，学会誌「Japanese Journal of Applied Physics(Vol.46，No.7，2007)」に掲載され，発光波長や素子の構造などが明らかになった（非極性面LEDはpp.L126-L128，半極性面LEDはpp.L129-L131）（非極性面LEDはpp.L126-L128，半極性面LEDはpp.L129-L131）。
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