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HOME日経エレクトロニクス2009年6月29日号 > データ・センター向けのSSD,東大らが書き込み性能を2倍

日経エレクトロニクス2009年6月29日号

データ・センター向けのSSD,東大らが書き込み性能を2倍

書き込み中の電源遮断にも対策

  • 大石 基之=日経エレクトロニクス
  • 2009/06/25 16:00
  • 1/1ページ
ランダム書き込みが遅いというSSDの課題を解決

「データ・センターなどの企業用途のSSD(solid state drive)にはどのようなNANDフラッシュ・メモリが必要か。こう考えて開発に取り組んだ。SSDのランダム書き込み速度を従来の2倍に高速化できる」(東京大学 大学院 工学系研究科 電気系工学専攻・工学部 電気電子工学科 准教授の竹内健氏)。

 東京大学は,産業技術総合研究所(産総研)と共同で,不揮発性のページ・バッファを備えた強誘電体NANDフラッシュ・メモリ(Fe-NAND)を開発した。現行のNANDフラッシュ・メモリは,データ・センター向けSSDに搭載する上で,主に三つの課題を抱えている。今回開発したFe-NANDは,それらの課題を解決する。2009年6月に開催された半導体回路技術の国際会議「2009 Symposium on VLSI Circuits」で発表した。

『日経エレクトロニクス』2009年6月29日号より一部掲載


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