ランダム書き込みが遅いというSSDの課題を解決

「データ・センターなどの企業用途のSSD（solid state drive）にはどのようなNANDフラッシュ・メモリが必要か。こう考えて開発に取り組んだ。SSDのランダム書き込み速度を従来の2倍に高速化できる」（東京大学 大学院 工学系研究科 電気系工学専攻・工学部 電気電子工学科 准教授の竹内健氏）。

　東京大学は，産業技術総合研究所（産総研）と共同で，不揮発性のページ・バッファを備えた強誘電体NANDフラッシュ・メモリ（Fe-NAND）を開発した。現行のNANDフラッシュ・メモリは，データ・センター向けSSDに搭載する上で，主に三つの課題を抱えている。今回開発したFe-NANDは，それらの課題を解決する。2009年6月に開催された半導体回路技術の国際会議「2009 Symposium on VLSI Circuits」で発表した。

『日経エレクトロニクス』2009年6月29日号より一部掲載


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