半導体製造/設計技術関連の国際会議「2006 Symposium on VLSI Technology/Circuits」が2006年6月13～17日に米国ホノルルで開催された。話題の中心は，LSIの特性バラつき問題に向けた製造/設計技術だった。同一チップ内の異なるトランジスタの間でしきい値電圧（V th）がランダムにバラつく現象が，最先端の微細加工技術を扱う半導体メーカーにとって一大問題として浮上してきたからだ。「LSIの微細加工技術を65nm，45nm，そして32nm以降へと微細化する上で，最も厄介な技術障壁が，トランジスタのランダムなV thのバラつきの問題である」（米Texas Instruments Inc.），「トランジスタのランダムなV thのバラつきは，LSIの進化を阻害する要因として，リーク電流と並ぶ，あるいはそれ以上に深刻な問題になりつつある」（ルネサステクノロジ）という。