この連載では，NECエレクトロニクスが開発した，電圧制御を軸とするLSIの低消費電力技術を解説する。二回目は，この技術を構成する三つの要素のうち，トランジスタの構造やhigh-k 材料といったプロセス・デバイス技術を取り上げる。 （浅川　直輝＝本誌）

齋藤　敏幸
NECエレクトロニクス 設計技術事業部　シニアエキスパート
吉田　誠
NECエレクトロニクス　モバイルシステム事業部　シニアデザインエンジニア
相本　代志治
NECエレクトロニクス　コア開発事業部　シニアデザインエンジニア
野村　昌弘
NEC　システムデバイス研究所　主任研究員

　LSIの消費電力は，スイッチング電力とリーク電力の和で表せる。130nm世代以前までは，スイッチング電力が消費電力の大半を占めていた。だが，130nm，90nm，65nmと設計ルールの微細化が進むにつれて，リーク電力の占める割合はますます高くなっている。

　我々が開発した，電圧制御を軸とする低消費電力技術「UltimateLowPower」は，リーク電流を抑えるための回路技術，設計技術，プロセス・デバイス技術の総称である。今回は，電圧制御の効果を最大限生かすために開発したプロセス・デバイス技術を取り上げる。