浸透するレーザー・アニール技術，ショットキー接合やひずみに応用
「2008 Symposium on VLSI Technology」では，チャネル移動度の向上に向けた新たなひずみ印加技術が報告される一方で，チャネルに次いでCMOS性能のボトルネックとなるソース・ドレインの低抵抗化技術に関する提案も相次いだ。C…（記事を読む、06/21 20:47）
Intelやソニー，pMOSの性能向上におけるゲート・ラスト・プロセスの優位性を実証
高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜/メタル・ゲート・スタックをソース・ドレインよりも後に形成するゲート・ラスト（gate-last）・プロセスに関しては，米Intel Corp.（講演番号13.2）とソニー（同13.1）がそれぞれ，ダマシン・ゲー…（記事を読む、06/21 17:38）
「high-k/メタル・ゲート＋ひずみ」の成果，相次ぎ登場
「2008 Symposium on VLSI Technology」では，高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜とメタル・ゲートを採用したトランジスタにおいて，ストレス・ライナー（CESL：contact etch stop layer）やストレス…（記事を読む、06/21 16:12）
SSDの低電力化技術やRambus社の新型超高速DRAMインタフェースが登場
「2008 Symposium on VLSI Circuits」のSession 13 「Low Power Memory and Interface Techniques」は，日立製作所とルネサス テクノロジ，ルネサス北日本セミコンダクタによるS…（記事を読む、06/21 15:30）
光vs電気，「どちらがいつ勝つのか」を議論
「2008 Symposium on VLSI Circuits」の開催2日目（6月19日）の夜，ランプセッション「Photons vs. Electrons－Which Will Win and When?（The Ongoing Race for…（記事を読む、06/21 15:27）
発表が目白押しのhigh-k/メタル・ゲート，焦点はプロセス統合や性能向上手法へ
「2008 Symposium on VLSI Technology」では，高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜とメタル・ゲート（以下HKMG）に関する発表が目白押しだった。会期初日と2日目だけで，HKMGを冠したセッションが3つ，発表は15件余り…（記事を読む、06/21 15:15）
