高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜/メタル・ゲート・スタックをソース・ドレインよりも後に形成するゲート・ラスト(gate-last)・プロセスに関しては,米Intel Corp.(講演番号13.2)とソニー(同13.1)がそれぞれ,ダマシン・ゲート(replacement gate)法による成果を披露した。Intelはこの技術を,45nm世代のマイクロプロセサの量産品に適用している。
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