IBM，グラフェンFETで50GHzの遮断周波数を達成，RF適用が視野に
米IBM T.J. Watson Research Centerは，グラフェンFETの遮断周波数（fT）を50GHzに高めることに成功した。（記事を読む、12/09 10:45）
45nm世代のSTT MRAMをTSMCとQualcommが共同開発，低電力CMOSロジックへの混載向け
台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.，Ltd.（TSMC）と米Qualcomm Inc.は，45nm世代のスピン・トランスファー・トルク（spin transfer torque：STT）方式MRAMを共同…（記事を読む、12/09 10:40）
7μm厚の極薄ウエーハでもCMOSデバイスに影響なし，東大らが実証
東京大学大学院 工学系研究科附属総合研究機構は，ディスコや大日本印刷，富士通研究所，WOWリサーチセンターなどと共同で，300mmウエーハ（Si基板）を厚さ7μmまで薄化する技術を開発した。例えば，この技術を用いて16Gバイトのメモリー・チップを10…（記事を読む、12/09 05:00）
45nm世代の相変化メモリ技術をNumonyx社が開発，1Gビット品を試作
スイスNumonyx B.V.は，45nm世代の相変化メモリ（phase change memory：PCM）向けの製造技術を「IEDM 2009」で発表した（論文番号5.7）。（記事を読む、12/08 14:23）
東芝が新たな半導体素子評価技術を開発，SSRMを用い，広範囲の濃度数値化や任意箇所での計測が可能に
東芝は，走査型拡がり抵抗顕微鏡（SSRM：scanning spreading resistance microscopy）を応用した新しい半導体素子の評価技術を開発した。（記事を読む、12/08 14:10）
NECら，パワー素子向けにしきい値電圧を調整しやすくしたノーマリー・オフ型GaN系FETを試作
NECとNECエレクトロニクスは，パワー素子向けに，しきい値電圧の値を調整しやすくしたGaN系FETを開発した。導通するために印加するゲート電圧が正である，いわゆるノーマリー・オフ動作が可能である。基板には安価なSi基板を利用する。2011年の実用…（記事を読む、12/08 07:54）
東芝，スピンMOS FETの基本動作を実証
東芝は，電子スピンを利用して不揮発性などの新機能を実現するMOS FET（スピンMOS FET）を試作し，その基本動作を実証した（論文番号9.2）。業界初の成果という。論理の再構成が可能（リコンフィギュラブル）なロジックLSIなどに向けて，2010…（記事を読む、12/08 07:00）
0.5Vで動作するSRAM，東京大学らが強誘電体FETで実現
わずか0.5Vで駆動できるSRAMを，東京大学と産業技術総合研究所が共同で開発した（論文番号11.7）。SRAMの動作時電力を従来比で32％削減でき，セル面積も増大しない。SRAMを構成する6個のMOS FETを，強誘電体FET（MOS FETのゲ…（記事を読む、12/08 07:00）
「デバイス・スケーリングは11nmより先に行ける」，IBMが半導体の将来を語る
半導体製造技術関連の国際会議「IEDM 2009」の開幕前日の2009年12月6日に， 2件のショート・コースが開催された。（記事を読む、12/07 13:40）
恒例の「Late News」，16nm世代のSRAMセルや，IBMのトライゲートSRAMなど5件が登場
半導体製造技術関連の国際会議「IEDM 2009」の開幕前日に当たる2009年12月6日に，毎年恒例の「Late News Paper」の内容が明らかになった。Late News Paperは，開催前日に，会場で明らかになる，「隠し玉」の発表が集まっ…（記事を読む、12/07 13:35）
ボルチモア開催の今年は約1100人が参加の見込み，名物の分厚い論文集が姿を消す
半導体製造技術関連で最大規模の国際会議「2009 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2009）」が米国ボルチモアで2009年12月7日に開幕する。（記事を読む、12/07 13:28）
