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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【IEDM】0.5Vで動作するSRAM,東京大学らが強誘電体FETで実現

【IEDM】0.5Vで動作するSRAM,東京大学らが強誘電体FETで実現

  • 大下 淳一=日経マイクロデバイス,大石 基之=日経エレクトロニクス
  • 2009/12/08 07:00
  • 1/1ページ
 わずか0.5Vで駆動できるSRAMを,東京大学と産業技術総合研究所が共同で開発した(論文番号11.7)。SRAMの動作時電力を従来比で32%削減でき,セル面積も増大しない。SRAMを構成する6個のMOS FETを,強誘電体FET(MOS FETのゲート部に強誘電体を挟んだFET)で置き換えることで実現した。東京大学 大学院工学系研究科 准教授の竹内 健氏の研究グループと,産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門 フロンティアデバイスグループ(グループ長 酒井 滋樹氏)の成果である。

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