わずか0.5Vで駆動できるSRAMを，東京大学と産業技術総合研究所が共同で開発した（論文番号11.7）。SRAMの動作時電力を従来比で32％削減でき，セル面積も増大しない。SRAMを構成する6個のMOS FETを，強誘電体FET（MOS FETのゲート部に強誘電体を挟んだFET）で置き換えることで実現した。東京大学 大学院工学系研究科 准教授の竹内 健氏の研究グループと，産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門 フロンティアデバイスグループ（グループ長 酒井 滋樹氏）の成果である。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録（無料）
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に！
春割キャンペーン実施中！
＞＞詳しくは
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG／SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル＆ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。
