各社の量産を控えたhigh-k/メタル・ゲート，発表にも成熟感
高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜/メタル・ゲート（HK/MG）に関する今回の発表の特徴は，デバイス・メーカー各社の量産またはそれに準じる段階に進み，探索的な性格の発表が減少したことである。そうした状況においても，MOS FETのしきい電圧調整は…（記事を読む、06/18 21:00）
LSIの経年劣化を予測して，チップの信頼性を向上させる技術をIntelやNEC，NXPらが発表
最初に登壇した米University of Minnesotaは，BTI（bias temperature instability）とHCI（hot carrier injection），TDDB（time dependent dielectric…（記事を読む、06/18 19:03）
DRAMに4F2セルが登場，Rambus社はモバイル向けインタフェースを発表
「2009 Symposium on VLSI Circuits」のセッション13「DRAM and Interface」では，韓国Samsung Electronics Co., Ltd.による縦型セル・トランジスタを用いた4F2…（記事を読む、06/18 15:56）
Circuitsの基調講演，ナノエレや医療エレ，人体通信を紹介
2009年6月16日から京都で始まった「2009 Symposium on VLSI Circuits」は世界的に経済状況が悪い中でも参加者が430名を超え，盛況の中で開幕した。初日は，富士通研究所の横山氏と米Medtronic Neuromodu…（記事を読む、06/18 11:57）
医療から画像伝送まで，BAN応用を拡大する低消費電力CMOSトランシーバ技術
「2009 Symposium on VLSI Circuits」のセッション4「Biomedical and Personal Technology」では，医療用途から音楽・映像伝送まで広範囲な応用が期待されるBAN（Body Area Netw…（記事を読む、06/18 11:13）
CMOSの特性バラつき，原因究明や抑制手法に進展
CMOS LSIにおいて，素子の微細化に伴う特性バラつきの増加が大きな問題として顕在化してきている。バラつきの要因を把握し，抑制することは緊急度の高いテーマとなっており，デバイス各社が開発の注力度を高めている。こうした状況を反映して，「2009 S…（記事を読む、06/17 23:13）
フラッシュ・メモリのさらなる高密度化を狙い3次元化などの各種技術が続出
「2009 Symposium on VLSI Circuits」のSession 3「Non-Volatile and Fuse Memories」は，さらなる高密度化を目指したフラッシュ・メモリの2件の発表から始まった。（記事を読む、06/17 09:17）
