ルネサスエレクトロニクスは、待機電力が13.7nW/Mビットと非常に低い、埋め込みSRAMを開発した（ニュースリリース）。同社によれば、「13.7nW/Mビット」は、これまで発表された埋め込みメモリーの中で世界最小の待機電力だとする。電池レスのエナジーハーベスティングのIoT／ホームエレクトロニクス／ヘルスケア機器など向けの専用IC/ASSPに、同社は開発した埋め込みSRAMを活用していく。
試作した128Kビットの埋め込みSRAM。ルネサスの写真。
今回のSRAMは、完全空乏型SOIプロセスである「SOTB（Silicon-On-Thin-BOX）」を使って実現する。SOTBは一般的な完全空乏型SOIに比べて、BOX（埋め込み酸化膜）層が薄いことが特徴である。このため基板バイアス制御が行いやすく、リーク電流の削減効果が大きい。その特徴を活かしたのが、今回の埋め込みSRAMである。
22個のサンプルで今回の埋め込みSRAMの特徴を確認。ルネサスのスライド。
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冒頭に紹介した「世界最小」の待機電力によって、電池レス/エナジーハーベスティング機器での埋め込みSRAMの利用機会を増やしたり、電池内蔵機器の電池寿命を延ばしたりすることができる。例えば、遠隔地でたまにしか動作しない監視用IoT機器では、不揮発性メモリーを使うことなく十分に長い電池寿命を確保できるため、保守コストの低減が見込める。
