米Texas Instruments（TI）社は、実装面積が1.53mm×0.77mmと小さい3端子LGAパッケージに封止した＋60V耐圧のnチャネル型パワーMOSFET「CSD18541F5」を発売した。同社のMOSFETファミリー「FemtoFET」に含まれる製品で、同社独自のMOSFET技術「NexFET」で製造した。一般的なSOT-23パッケージ封止品と比較すると、実装面積を約80％削減できる。実装高さは0.35mmである。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が＋10Vのときに、54mΩ（標準値）と小さい。「一般的な＋60V耐圧の負荷スイッチと比べると、オン抵抗は約90％低い」（同社）という。実装面積の削減が求められる産業用電子機器の負荷スイッチのほか、さまざまな電子機器の汎用スイッチ用途に向ける。
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