伊仏合弁STMicroelectronics社は、外形寸法が5mm×6mm×0.8mmと小さい両面放熱パッケージである「PowerFLAT 5x6」に封止した車載用パワーMOSFET「STLD200N4F6AG/STLD125N4F6A」を発売した。nチャネル型のパワーMOSFETで、耐圧は+40Vである。同社独自のトレンチ技術である「STripFET F6」で製造した。パッケージの表面と裏面の両方に大きな放熱電極を設けた。これを使うことで、効果的な放熱を実現できるという。このため電源回路の電力密度を高めることが可能になり、車載用ECU(Electronic Control Unit)を小型化できるとしている。車載用ディスクリート半導体の品質規格である「AEC-Q101」に準拠する。
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