ルネサス エレクトロニクスは、放射線耐性を備えるGaN（窒化ガリウム）パワートランジスタ（FET）と、その駆動に向けたゲートドライバーICを発売した。GaNパワートランジスタはnチャネル型での2製品を用意した。1つは耐圧が＋100Vで最大ドレイン電流が60Aの「ISL7023SEH」。もう1つは耐圧が＋200Vで最大ドレイン電流が7.5Aの「ISL70024SEH」である。どちらも、米Efficient Power Conversion（EPC）社が製造したGaNパワートランジスタのダイ（チップ）を採用しており、それを放射線耐性が高いパッケージに封止した。ゲートドライバーICの型番は「ISL70040SEH」で、上記の2つのGaNパワートランジスタの駆動に使える。ローサイドスイッチの駆動に向ける。具体的な用途としては、打ち上げ機や人工衛星、ダウンホール掘削機、高信頼性が求められる産業機器などに搭載するDC-DCコンバーターを挙げている。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録（無料）
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG／SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル＆ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。
