米Vishay Intertechnology社は、同社の第4世代に相当するスーパージャンクション（SJ）型パワーMOSFET「SiHP065N60E」を発売した。600V耐圧のnチャネル型品である。同社のSJ型パワーMOSFET製品群「Eシリーズ」に含まれるものだ。特徴は、同社の前世代品に比べて、オン抵抗を30％削減したと同時に、ゲート電荷量を44％低減した点にある。「オン抵抗とゲート電荷量の積である性能指数（FOM：Figure Of Merit）は業界で最も低い」（同社）という。このため、電源回路に適用すれば、導通損失とスイッチング損失の両方を抑えることができ、変換効率を改善できるようになる。サーバーや通信機器の電源回路や、スイッチング電源モジュール、力率改善（PFC）ユニット、照明器具の電源回路、溶接機、モーター駆動回路、バッテリー充電器、太陽光発電用インバーターなどに向ける。
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