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日経エレクトロニクス 2017年11月号

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新構造のSiC MOSFETで実現、低抵抗と高い短絡耐性を両立

三菱電機が試作、ソースに新領域を設ける

  • 根津 禎
  • 2017/10/19 00:00
  • 1/1ページ

出典:日経エレクトロニクス、2017年11月号、pp.24-25(記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります)

Si IGBTに比べて、インバーターといった電力変換器で生じる電力損失を大幅に削減できるSiC MOSFET。だが、SiC MOSFETの潜在力を引き出す上で、「積年の課題」があった。三菱電機はその解決にメドを付けた。低いオン抵抗と長い「短絡許容時間(短絡時に素子が破壊されるまでの時間)」を両立させる、新しい素子構造を開発したのである。
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