2016年12月3日~12月7日に米国サンフランシスコで開催の半導体デバイスやプロセス技術に関する国際会議「2016(62nd) IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)(IEDM 2016)」をレポートする。
2016年12月3日-7日(米国サンフランシスコで開催)
2016年12月3日~12月7日に米国サンフランシスコで開催の半導体デバイスやプロセス技術に関する国際会議「2016(62nd) IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)(IEDM 2016)」をレポートする。
タイミングコントローラーも試作
韓国Samsung Electronics社は、28nm世代のCMOSロジック(28nm LPP Logic)に向けた、8Mビットの混載MRAM(Embedded MRAM)を試作し、「IEDM 2016」で発表した(講演番号:27.2)。STT-MRAMで、1T-1MTJ構造を採る。
韓国SK Hynix社と東芝は、4GビットSTT-MRAMを試作し、「IEDM 2016」で発表した(論文番号27.1)。Gビット級の大容量MRAMとあって注目度は高く、発表会場には多くの聴講者が訪れ、立ち見が出るほど盛況だった。
パナソニックが試作
パナソニックは、GaN基板を利用したGaNパワートランジスタ(「GIT」)を試作し、「IEDM 2016」で発表した(講演番号:10.3)。同社が既に製品化しているような従来のSi基板品に比べて、オン抵抗(Ron)を2/3に、出力電荷量(Qoss)を約半分にした。この結果、オン抵抗と出力電荷量の積…
パナソニックが試作
パナソニックは、耐圧1.7kVでオン抵抗が1.0mΩcm2と低いGaNパワートランジスタを試作し、「IEDM 2016」で発表した。このオン抵抗は、同耐圧のSiC MOSFETに比べて、「低い」(発表者)値である。オン抵抗が小さい分、導通時の損失を低減できる。しきい値電圧は+2.5Vで、ノーマリー…
「IEDM 2016」の開催初日、2つの研究グループが7nm FinFETについて発表した。一方は台湾TSMC(講演番号:2.6)。もう一方は米IBM社と米GLOBALFOUNDRIES社、韓国Samsung Electronics社のグループである(講演番号:2.7)。いずれも、今回のIEDMの目…
ルネサス エレクトロニクスは、14nm/16nm FinFETプロセスを前提に、IC埋め込み型フラッシュメモリーのメモリーセルを開発した。今回の開発によって、FinFETプロセスを使った車載マイコンの実用化に道筋をつけたことになる。同社は開発したフラッシュメモリーの詳細を、米サンフランシスコで開催中…
「IEDM 2016」が2016年12月3日から米国サンフランシスコで始まった。3日と4日はチュートリアルなどのセミナーで、講演は5日から始める(会期は12月7日まで)。講演初日にあたる5日午前には基調講演が行われた。その中で、メモリー技術の動向や課題などについて、韓国SK Hynix社 Exec…
監視カメラや3次元計測などに向ける
ソニーグループ(ソニーセミコンダクタマニュファクチャリングとソニーセミコンダクタソリューションズ)は、新しい裏面照射型CMOSセンサー(BSI)を「IEDM 2016」で発表した(講演番号:8.7)。特徴は、偏光素子(polarizar)を備えること。一般的な偏光カメラの場合、撮像素子と偏光素子は別…
Cuパッド同士を接合し、TSVは不要に
ソニーグループ(ソニーセミコンダクタソリューションズとソニーセミコンダクタマニュファクチャリング)は、積層型のCMOSセンサーに向けた新しい貼り合わせ技術について、「IEDM 2016」で発表した(講演番号:8.4)。同技術は、裏面照射型のCMOSセンサー部とロジック回路を接合するときに利用するも…
産総研が試作
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門は、Siのトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)を用いたリング発振器を試作した。その動作結果を、「IEDM 2016」で発表する(講演番号:19.4)。トンネルFETによるリング発振器の動作は、「業界初」(産総研)とする。
書き込み誤り率を1~2桁低減へ
東芝と産業技術総合研究所 スピントロニクス研究センターの研究グループは、電圧駆動型の不揮発性磁気メモリー「電圧トルクMRAM」の書き込み誤り率を低減する新たな書き込み方式を開発した。「IEDM 2016」で発表する(講演番号:27.5)。
富士通が試作、IEDM 2016プレビューから
富士通は、グラフェンを利用した半導体ガスセンサーを開発した。その詳細を半導体デバイスやプロセス技術に関する国際会議「IEDM 2016」(2016年12月3〜7日、サンフランシスコ)で発表する(講演番号:18.2)。感度が高く、選択性が高い点を特徴にする。
IEDM 2016プレビューから
キヤノンは、「グローバルシャッター」方式に対応した4KのCMOSセンサーを開発した。半導体デバイスやプロセス技術に関する国際会議「IEDM 2016」(2016年12月3〜7日、サンフランシスコ)で発表する。
IEDM 2016プレビューから
パナソニックは、耐圧1.7kVで、オン抵抗が低い、「ノーマリーオフ動作」のGaNパワートランジスタを開発した。