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HOME新産業JPCA Show 2017 > スパッタ・レジスト不要のめっき配線技術、低抵抗で高密着

JPCA Show 2017

スパッタ・レジスト不要のめっき配線技術、低抵抗で高密着

インクジェットやレーザー描画に対応、プリンテッド技術の対抗に

  • 宇野 麻由子
  • 2017/06/08 14:06
  • 1/2ページ

 田中貴金属グループで貴金属めっきのめっき液開発などを手掛ける日本エレクトロプレイティング・エンジニヤーズ(EEJA)は、シード層となるスパッタやフォトレジストを使わずにめっきによる配線形成を可能とする「ダイレクトパターニングめっき技術」を開発した。同技術は「JPCA Show 2017」(2017年6月7~9日、東京ビッグサイト)の「JPCA賞」を受賞しており、会場で展示している。めっきのため配線の抵抗が低く、材料の工夫により密着性を高めた。100℃以下のプロセスで配線形成できるため、対応できる基材の幅が広いのが特徴。Agインクなどを使うプリンタブルエレの対抗技術など、新たな配線形成技術としての普及を狙う。

試作品展示の様子。触ることができる見本もある。
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 今回の技術は、次のような手順で配線を形成する。まず、(1)基材となるフィルム全面に「プライマー」と呼ぶ有機溶剤ベースの樹脂を塗布して、70~150℃で数分間乾燥させる。このプライマーの表面にはAuナノ粒子を受け止めるアクセプターが存在するが、アクセプターは波長300nm以下の深紫外光によって改質しAuナノ粒子補足能力がなくなるという特徴を持つ。そこで、(2)フォトマスクを使って深紫外光を10~60秒照射し、配線部以外のアクセプターを無力化する。そして(3)Auナノ粒子を水溶液に分散させた「コロイドキャタリスト」に10~600秒浸漬し、(4)無電解めっきを行う。Auナノ粒子はめっきの触媒として使っているとする。

要素、工程などの説明パネル。
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パターニング特性の説明パネル。
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