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HOMEエネルギーパワーエレクトロニクスPCIM Europe 2017 > ディスクリートIGBT向け新絶縁技術、熱抵抗を3割超削減

PCIM Europe 2017

ディスクリートIGBT向け新絶縁技術、熱抵抗を3割超削減

Infineonが開発

  • 根津 禎
  • 2017/05/23 05:45
  • 1/3ページ

ドイツInfineon Technologies社は、ディスクリートIGBTに向けて、新しい絶縁技術を開発し、「PCIM Europe 2017」に出展した(図1)。IGBTの接合部からヒートシンクまでの熱抵抗「Rth(jh)」を30%以上削減できることが最大の特徴である。まずは、ディスクリートIGBTで一般的なTO-247パッケージに同技術を適用し、絶縁耐圧として2.5kVRMS(50Hz/60Hz、1分間)を確保した。PFC回路やモータードライブ、UPSなどのアプリケーションに向ける。

図1 新しい絶縁技術を採用したディスクリートIGBT製品
図1 新しい絶縁技術を採用したディスクリートIGBT製品
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 従来のTO-247パッケージでは、大きく2つの方法で、絶縁耐圧を確保していた(図2)。1つは、表面と裏面を共に樹脂で覆ったパッケージ「Full -Pak」を利用する方法である。パッケージ内のIGBTチップとヒートシンクの間に、パッケージの樹脂が存在することで、絶縁耐圧を確保する。

 もう1つは、「Isolation foil」と呼ぶ絶縁シートを用いる方法である。具体的には、表面は樹脂で覆われているが、裏面は放熱性を高めるためにリードフレームを露出させたTO-247パッケージの裏面に絶縁シートを張り付け、さらにはんだでヒートシンクに接合する。つまり、上からTO-247のリードフレーム、絶縁シート、はんだ、ヒートシンクの順になる。リードフレームを露出している分、Full –Pakに比べて、IGBTの接合部からヒートシンクまでの熱抵抗「Rth(jh)」を下げられる。

図2 従来の絶縁方法(図:Infineon社)
図2 従来の絶縁方法(図:Infineon社)
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