Intel社とMicron Technology社は共同で、「3D XPoint Technology」と呼ぶ次世代不揮発性メモリー技術を発表した。NANDフラッシュメモリーに比べて1000倍高速で、1000倍書き換え寿命が長い。しかもNANDフラッシュと異なり、ランダムアクセスメモリーとして利用可能で、同様の性質を持つDRAMに比べて記録密度が10倍高いという、頭抜けた性能をたたき出す技術だという。しかも、NANDフラッシュで危ぶまれていた微細化の継続が、今後も可能になるとしている。さらに試作チップは、20nmプロセスを使った128Gビット品と驚きの完成度で登場した。

　3D XPointは、技術面、応用面、事業面のいずれにおいても、見どころと謎の多い技術である。Intel社とMicron社ともに、3D XPointの技術の詳細について多く語っていない。目指す性能の高さと、隠された部分の多さから、半導体業界ではその正体を巡って、さまざまな憶測を呼んでいる。

　今回のテクノ大喜利では、「新型メモリー、3D XPointとは何者か」と題し、同メモリーの将来性とその登場による波及効果を考えるための視点の抽出を目的とした。各回答者に投げかけた質問は以下の通り。

【質問１】
3D XPointに、メモリーメーカーの勢力図を塗り替えるインパクトを感じますか？

【質問2】
3D XPointで、半導体ユーザーにどのような機会とリスクが生まれましたか？

【質問3】
3D XPointで、装置や材料のサプライヤーにどのような機会とリスクが生まれましたか？

表１●回答のまとめ
[画像のクリックで拡大表示]
表１●回答のまとめ