reaction bonding, reaction sintering

　焼結工程中に化学反応が生じ，出発原料から目的のセラミックスに変化しながら進む焼結。窒化ケイ素（Si3N4）の反応焼結はSi粉末を原料に部品形状の圧粉体をまえもって作製しておき，高温下でN2ガスを流してSiとNを反応させてSi3N4組成にする。一方，炭化ケイ素（SiC）はCをガスの形で供給できないので，SiCとC粉末で一度焼結品を作り，多孔質体の焼結品に溶融したSiを含浸させ，再び加熱して，CとSiを反応させる。