米Intel Corp.，韓国Samsung Electronics Co., Ltd.，伊仏STMicroelectronics社。世界半導体ランキング上位の大手半導体メーカーが，フラッシュ・メモリーの後を継ぐ不揮発性メモリーとして，最有力視しているのが「PRAM（phase change RAM，相変化メモリー）」である。PRAM は，開発した米Ovonyx, Inc.にちなんでOUM（Ovonic Unified Memory）とも呼ばれる。

　記憶素子には，GST（GeSbTe）を使う。この材料は，600℃以上の熱を加えると溶融し，冷却のさせ方で抵抗値が変わる。ゆっくり冷やすと低抵抗の結晶，急激に冷やすと高抵抗のアモーファスとなる。双方の抵抗値の違いからデータを記憶する。例えばSamsungはFeRAM（強誘電体メモリー），MRAM（磁気抵抗メモリー），ReRAM（resistive RAM）など多くの新型メモリーを開発しているが，PRAMに最も高い優先順位を付けている。

撤退相次ぐもPRAMに新規参入

　ここへ来て，エルピーダメモリ，米IBM Corp.，独Infineon Technologies AG，台湾の大手メモリー・メーカーがPRAMの開発に名乗りを挙げた（図1）。新型メモリーの開発では，米Cypress Semiconductor Corp.がMRAMから撤退し，ソニーがFeRAM開発から事実上，手を引いている。

　各社が新型メモリーの開発に見切りをつける中，大手がPRAMの開発を表明したことで，PRAMに再び注目が集まり始めた。これは，32～22nmの設計ルールでも微細化できる見通しが見えてきたこと，低消費電力化が進んでいること，DRAMにも利用できることによる。DRAMに関しては，エルピーダが微細化と低消費電力化を両立するためにGSTを2006年の製品に使う。各社が開発しているPRAMでは，W（タングステン）で構成したヒーターで，GSTを局所的に加熱する。DRAMに応用する場合は，既存のDRAMのキャパシタの代わりにGSTを採用する。特に微細化した場合，既存のキャパシタに比べデータ保持期間を長くできるため，リフレッシュ動作が不要になり低消費電力化できる。


図1●PRAMの開発企業が一気に増えた　2005年以降のPRAM関連の開発動向をまとめた。世界各国・地域の大手メモリー・メーカーが，PRAMの開発に相次いで参入している。なお米IBM Corp.は，米Infineon Technologies AG，台湾Macronix International Co., Ltd.との共同開発において，メモリーは開発せず，ほかの2社に材料開発で協力する。本誌が作成。

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