• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版
半導体デバイス 半導体デバイスの最新情報・トレンドを知る
 

相変化メモリとは

ソウヘンカメモリ

2009/10/20 09:40
1/1ページ

 光ディスクのように材料の結晶構造を変化させることで情報を記憶する不揮発性メモリ。PRAM(phase-change RAM),またはPCM(phase- change memory)とも呼ばれる。

 相変化メモリは,フラッシュ・メモリのような消去動作が不要で,読み出し速度もDRAM並みに高速であることから,将来的には携帯電話機などに利用されるNORフラッシュ・メモリやDRAMを置き換える技術として期待されている。2009年9月に韓国Samsung Electronics Co., Ltd.がスマートフォンなどの携帯機器向けに量産を開始したことで一躍注目されるようになった。

 Samsung Electronics社によれば,相変化メモリの利用によって必要なDRAM搭載量を減らすことが可能となり,携帯機器の電池寿命を20%以上延ばせるという。相変化メモリにはこうした利点に加え,原理的に微細化に対応しやすいという強みもある。相変化メモリは構成材料が結晶状態かアモルファス状態かで「0」「1」を区別するため,原理的に5nm世代でも動作するとの見方がある。

 ただし,相変化メモリは製造コストの点で,同じ世代の製造技術を使うフラッシュ・メモリに及ばない。1ビット当たりのセル面積がフラッシュ・メモリよりもわずかに大きいためである。

相変化メモリの動作原理。相変化メモリは,ヒーターのジュール加熱によってGST(GeSbTe)膜の結晶状態を制御することで,「0」「1」のデータを記憶する。
相変化メモリの動作原理。相変化メモリは,ヒーターのジュール加熱によってGST(GeSbTe)膜の結晶状態を制御することで,「0」「1」のデータを記憶する。
[クリックすると拡大した画像が開きます]
【技術者塾】(2/23開催)
シグナル/パワーインテグリティーとEMC

〜高周波・低電圧設計に向けたノイズの課題と対策〜


本講座では、設計事例を基に、ノイズ対策がなぜ必要なのかを分かりやすく解説します。その上で、シグナルインテグリティー(SI)、パワーインテグリティー(PI)、EMCの基礎知識ならびにそれらがノイズ課題の解決にどのように関係しているかを、これまでの知見や経験に基づいた具体例を踏まえつつ解説を行います。 詳細は、こちら
日程 : 2016年2月23日
会場 : 化学会館
主催 : 日経エレクトロニクス
印刷用ページ
コメントする
コメントに関する諸注意(必ずお読みください)
※コメントの掲載は編集部がマニュアルで行っておりますので、即時には反映されません。

マイページ

マイページのご利用には日経テクノロジーオンラインの会員登録が必要です。

マイページでは記事のクリッピング(ブックマーク)、登録したキーワードを含む新着記事の表示(Myキーワード)、登録した連載の新着記事表示(連載ウォッチ)が利用できます。

協力メディア&
関連サイト

  • 日経エレクトロニクス
  • 日経ものづくり
  • 日経Automotive
  • 日経デジタルヘルス
  • メガソーラービジネス
  • 明日をつむぐテクノロジー
  • 新・公民連携最前線
  • 技術者塾
  • スポーツイノベイターズオンライン

Follow Us

  • Facebook
  • Twitter
  • RSS

お薦めトピック

日経テクノロジーオンラインSpecial

記事ランキング