「InGaNはまさに“奇跡の材料”。これがなければ、高輝度青色LEDを実現できなかった」――。 青色LEDの開発で2014年のノーベル物理学賞を受賞した米University of California Santa Barbara校(UCSB) 教授の中村修二氏は、2015年7月24日のセミナー「GaNが起こすエネルギー革命」(主催:日経エレクトロニクス)に登壇し、こう語った。同氏は、InGaN(インジウム・ガリウム・ナイトライド)を発光層に用いた、「ダブルへテロ構造」を設けたことで、実用水準の明るい青色LEDを実現できたことを力説した。
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