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HOME新産業 > 次世代磁気メモリー材料開発につながる発見、フェライト系材料で

次世代磁気メモリー材料開発につながる発見、フェライト系材料で

  • 中道 理
  • 2015/01/14 15:09
  • 1/1ページ
 東京大学 物性研究所 准教授の徳永将史氏らの研究グループは2015年1月13日、産業技術総合研究所、福岡大学、上智大学、青山学院大学と協力して、ビスマスフェライトでこれまで知られていなかった新たな方向の電気分極成分を発見し、その電気分極が磁場によって制御できることを明らかにできたと発表した。この電気分極は一度磁場を加えると元とは異なる状態に変化し、磁場を除いた後でも変化後の状態を保持し続けるため、不揮発メモリー材料として使える可能性が高い。しかも、この効果は摂氏27度の室温でも観測されたという。

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