広島大学HiSIM研究センターと産業技術総合研究所は、2015年1月9日に東京で報道機関向けの説明会を開催し、回路シミュレーション用トランジスタモデルの「HiSIM-SOTB(Hiroshima university STARC IGFET Model Silicon-on-Thin BOX)」が、国際標準に認定されたことを発表した。HiSIM-SOTBは、広島大学と半導体理工学研究センター(STARC)が開発したMOSトランジスタの回路シミュレーション用モデル「HiSIM2」の拡張版である。HiSIM2およびその拡張版モデルはすでに3つが国際標準になっており、HiSIM-SOTBは4つめの国際標準になる。
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