1200V耐圧の新たなIGBTのパッケージ外観（出所：伊仏STマイクロエレクトロニクス）
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伊仏STマイクロエレクトロニクスは12月1日、太陽光発電用のパワーコンディショナー（PCS）向けに、1200V耐圧の新たなIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を発表した。
オン電圧をより低く、スイッチング損失をより少なくするための、トレンチゲート・ フィールドストップの構造を高度化した。これによって、PCSの堅牢性と変換効率を大幅に向上できるとしている。
導通特性とターンオフ特性を最適化した上、スイッチ側で生じる損失の一つであるターンオン損失を低く抑えたことで、ハードスイッチング回路（直流を直接遮断・導通させるスイッチング）に最適なIGBTとした。スイッチオフ時の過電圧の最小化や振動の除去が可能なため、電力損失の低減だけでなく、回路設計の簡略化の利点もある。
動作温度範囲は従来品より高い最高175℃とした。150℃動作時の短絡耐時間は10μs（μs：百万分の1秒）。
すでに量産を開始しており、40A対応の「STGW40M120DF3」など3品種はTO-247パッケージで、「STGWA40M120DF3」など3品種は長リードのTO-247パッケージで供給している。STGW15M120DF3の単価は、1000個購入時で約2.80米ドル。
