韓国SungKyunKwan University(成均館大学)と韓国Samsung Advanced Institute of Technology(SAIT)は共同で、半導体ウエハー上に単結晶グラフェンを形成する技術を開発した。「グラフェンの研究における最大のブレークスルーの一つ」(SAITの研究者)とする。米科学誌「Science」の2014年4月4日版と同誌オンライン版(同4月3日付)に掲載された。論文タイトルは「Wafer-Scale Growth of Single-Crystal Monolayer Graphene on Reusable Hydrogen-Terminated Germanium」。
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