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HOMEエレクトロニクスアナログ > IR、両面放熱が可能なパッケージに封止した車載用パワーMOSFETを発売、オン抵抗を40%削減

IR、両面放熱が可能なパッケージに封止した車載用パワーMOSFETを発売、オン抵抗を40%削減

  • 山下 勝己=テクニカル・ライター
  • 2013/10/18 22:31
  • 1/1ページ
 米International Rectifier(IR)社は、両面放熱が可能な「DirectFET 2」パッケージに封止した車載用パワーMOSFET「AUIRF8736M2」を発売した。DirectFET 2パッケージは、表と裏の両面に金属が露出している缶パッケージであるため、放熱特性を高めると同時に、寄生インダクタンスを低く抑えられるとする。実装面積は5mm×6mmである。小さな実装面積で高い電力密度が求められる電動パワー・ステアリング(EPS)やブレーキ、ポンプなどの車載機器に向ける。車載用ディスクリート半導体の品質規格である「AEC-Q101」に準拠する。
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