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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > RFMDがGaN RFパワー・トランジスタの生産を全量6インチSiCウエハー・ベースへ

RFMDがGaN RFパワー・トランジスタの生産を全量6インチSiCウエハー・ベースへ

  • 小島 郁太郎=Tech-On!編集
  • 2013/09/20 17:56
  • 1/1ページ
米RF Micro Devices社は、GaNのRFパワー・トランジスタの量産を全量6インチのSiCウエハーで行うと発表した。同社によれば、6インチのSiCウエハーでGaNのRFパワー・トランジスタを作るのは、世界初だという。

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