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HOMEエレクトロニクスアナログ > オン抵抗を低減した25V耐圧パワーMOSFETをIRが発売、DC-DCコンバータの出力密度向上が可能に

オン抵抗を低減した25V耐圧パワーMOSFETをIRが発売、DC-DCコンバータの出力密度向上が可能に

  • 山下 勝己=テクニカル・ライター
  • 2013/09/20 17:03
  • 1/1ページ
 米International Rectifier(IR)社は、オン抵抗を低減した+25V耐圧のパワーMOSFETを発売した。nチャネル品である。オン抵抗や全ゲート電荷量の違いなどで6製品を用意したが、オン抵抗が最も低い製品で0.70mΩ(ゲート・ソース間電圧が+10Vのときの標準値)である。このため、DC-DCコンバータに適用すれば変換効率の向上が可能になり、結果として出力密度を高められるとしている。具体的な用途としては、通信機器やネットワーク機器、サーバー、グラフィックス・カード、デスクトップ・パソコン、ノート・パソコンなどに搭載する同期整流採用の降圧型DC-DCコンバータ回路に向ける。
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