• BPnet
  • ビジネス
  • PC
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > Micron、16nm世代のNANDフラッシュ・メモリをサンプル出荷開始

Micron、16nm世代のNANDフラッシュ・メモリをサンプル出荷開始

  • 大下 淳一=日経BP半導体リサーチ
  • 2013/07/17 18:21
  • 1/1ページ
 米Micron Technology社は2013年7月16日(米国時間)、16nm世代のプロセス技術を適用したNANDフラッシュ・メモリのサンプル出荷を開始したと発表した。MLC(multi-level cell)技術を用いた128Gビット品である。2013年10~12月から量産する。
【技術者塾】(5/17開催)
キャパシタ応用を広げるための基礎と活用のための周辺技術


省エネルギー社会に則した機器を、キャパシタを上手に活用しながら開発するために、その原理と特長、信頼性、長寿命化、高密度化、高出力化などのセル開発の進歩とキャパシタの持つ課題と対応技術まで、実践活用に役立つ応用事例を示しながら学んでいきます。 詳細は、こちら
日程 : 2016年5月17日
会場 : BIZ新宿
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ