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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > SiCパワー・デバイスの6インチ・ラインを富士電機が構築

SiCパワー・デバイスの6インチ・ラインを富士電機が構築

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/04/26 15:27
  • 1/1ページ
 富士電機は、口径6インチのSiC基板(ウエハー)に対応したSiCパワー・デバイスの生産設備を新設する(発表資料)。SiCパワー素子や、同素子を利用したパワー・モジュールを製造する。SiCパワー素子の製造ラインは、これまで3~4インチが主流。6インチの大口径基板に対応することによって、SiCパワー素子の低コスト化を図り、SiCパワー素子を適用したパワー・エレクトロニクス機器(パワエレ機器)の市場投入を加速する考えである。
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