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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 「パワー半導体で300mmウエハー対応は初」、InfineonがSuper Junction構造のMOSFET製造に適用

「パワー半導体で300mmウエハー対応は初」、InfineonがSuper Junction構造のMOSFET製造に適用

  • 根津 禎=日経エレクトロニクス
  • 2013/02/21 20:59
  • 1/1ページ
 ドイツInfineon Technologies社は、口径300mmのSiウエハーによるパワー半導体製造を「世界で初めて」(同社)開始する(発表資料)。具体的には、Super Junction構造を備えたパワーMOSFETの「CoolMOSファミリ製品」をオーストリア・フィラッハの工場で生産する。2013年2月に、顧客から初めて生産の依頼を受けたという。
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