アナログ エレクトロニクスを支える基盤技術
 

ルネサス、オアリング用途向けに低オン抵抗の30V耐圧パワーMOSFETを発売

山下 勝己=テクニカル・ライター
2013/01/24 18:12
印刷用ページ
 ルネサス エレクトロニクスは、同社従来品に比べてオン抵抗を50%削減した+30V耐圧のパワーMOSFETを開発し、サンプル出荷を始めた。量産は2013年2月に開始する予定である。nチャネル品である。ネットワーク・サーバーやストレージ・システムの電源ユニットに使われるオアリング用途に向ける。従来、この用途にはダイオードが使われていたが、現在はパワーMOSFETと制御回路の組み合わせが一般になっている。ダイオードの順方向電圧による電力損失に比べると、パワーMOSFETのオン抵抗に依る電力損失の方が小さいからだ。ただし、電源ラインには数十~数百Aもの電流が流れるため、さらなるオン抵抗の低減が求められていた。

ここから先は日経テクノロジーオンライン会員の方のみ、お読みいただけます。
・会員登録済みの方は、左下の「ログイン」ボタンをクリックしてログイン完了後にご参照ください。
・会員登録がお済みでない方は、右下の会員登録ボタンをクリックして、会員登録を完了させてからご参照ください。会員登録は無料です。

マイページ

マイページのご利用には日経テクノロジーオンラインの会員登録が必要です。

マイページでは記事のクリッピング(ブックマーク)、登録したキーワードを含む新着記事の表示(Myキーワード)、登録した連載の新着記事表示(連載ウォッチ)が利用できます。

協力メディア&
関連サイト

  • 日経エレクトロニクス
  • 日経ものづくり
  • 日経Automotive
  • 日経デジタルヘルス
  • メガソーラービジネス
  • 明日をつむぐテクノロジー
  • 新・公民連携最前線
  • 技術者塾

Follow Us

  • Facebook
  • Twitter
  • RSS

お薦めトピック

日経テクノロジーオンラインSpecial

記事ランキング