• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクスアナログ > 東芝、オン抵抗を低減した30V耐圧のパワーMOSFETを発売、Liイオン電池の保護回路など向け

東芝、オン抵抗を低減した30V耐圧のパワーMOSFETを発売、Liイオン電池の保護回路など向け

  • 山下 勝己=テクニカル・ライター
  • 2012/12/07 23:15
  • 1/1ページ
 東芝は、オン抵抗を低減した30V耐圧のnチャネル・パワーMOSFET「TPN2R503NC」を発売した。同社最新のパワーMOSFET製造技術である「第8世代プロセス」を採用した。オン抵抗は、ゲート・ソース間電圧が10Vのときに2.5mΩ(最大値)、ゲート・ソース間電圧が4.5Vのときに4.1mΩ(最大値)といずれも小さい。Liイオン2次電池パックに内蔵する保護回路や、携帯型電子機器の負荷スイッチなどに向ける。
【技術者塾】(6/16開催)
実用化迫る、自動運転支援のためのセンシング技術


安全で安心な自動運転車の実現に向けて、運転自動化支援に必要なセンシングアルゴリズムの基礎理論から、自動運転に向けたさまざまな応用技術、最近の話題などについて、分かりやすく解説します。詳細は、こちら
日程 : 2016年6月16日
会場 : 化学会館 7F(東京・御茶ノ水)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ