アナログ エレクトロニクスを支える基盤技術
 

【ET 2012】2.5kW電源を実現するSi基板GaNパワー・デバイス、富士通セミコンが量産へ

小島 郁太郎=Tech-On!
2012/11/08 12:22
印刷用ページ
富士通セミコンダクターは、同社が開発したSi基板のGaNパワー・デバイスを搭載するサーバー用電源で2.5kWの高出力動作を実証し、2013年後半からの同デバイスの量産にメドを付けたと発表した。今後は、同デバイスを利用したさまざまな電源アプリケーションを提案し、2015年度にはGaNパワー・デバイスで約100億円の売り上げを目指す。

ここから先は日経テクノロジーオンライン会員の方のみ、お読みいただけます。
・会員登録済みの方は、左下の「ログイン」ボタンをクリックしてログイン完了後にご参照ください。
・会員登録がお済みでない方は、右下の会員登録ボタンをクリックして、会員登録を完了させてからご参照ください。会員登録は無料です。

マイページ

マイページのご利用には日経テクノロジーオンラインの会員登録が必要です。

マイページでは記事のクリッピング(ブックマーク)、登録したキーワードを含む新着記事の表示(Myキーワード)、登録した連載の新着記事表示(連載ウォッチ)が利用できます。

協力メディア&
関連サイト

  • 日経エレクトロニクス
  • 日経ものづくり
  • 日経Automotive
  • 日経デジタルヘルス
  • メガソーラービジネス
  • 明日をつむぐテクノロジー
  • 新・公民連携最前線
  • 技術者塾

Follow Us

  • Facebook
  • Twitter
  • RSS

お薦めトピック

日経テクノロジーオンラインSpecial

記事ランキング