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HOMEエレクトロニクスアナログ > 【ET 2012】2.5kW電源を実現するSi基板GaNパワー・デバイス、富士通セミコンが量産へ

【ET 2012】2.5kW電源を実現するSi基板GaNパワー・デバイス、富士通セミコンが量産へ

  • 小島 郁太郎=Tech-On!
  • 2012/11/08 12:22
  • 1/1ページ
富士通セミコンダクターは、同社が開発したSi基板のGaNパワー・デバイスを搭載するサーバー用電源で2.5kWの高出力動作を実証し、2013年後半からの同デバイスの量産にメドを付けたと発表した。今後は、同デバイスを利用したさまざまな電源アプリケーションを提案し、2015年度にはGaNパワー・デバイスで約100億円の売り上げを目指す。
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