• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクスアナログ > 【ET 2012】2.5kW電源を実現するSi基板GaNパワー・デバイス、富士通セミコンが量産へ

【ET 2012】2.5kW電源を実現するSi基板GaNパワー・デバイス、富士通セミコンが量産へ

  • 小島 郁太郎=Tech-On!
  • 2012/11/08 12:22
  • 1/1ページ
富士通セミコンダクターは、同社が開発したSi基板のGaNパワー・デバイスを搭載するサーバー用電源で2.5kWの高出力動作を実証し、2013年後半からの同デバイスの量産にメドを付けたと発表した。今後は、同デバイスを利用したさまざまな電源アプリケーションを提案し、2015年度にはGaNパワー・デバイスで約100億円の売り上げを目指す。
【技術者塾】(6/6開催)
最適制御とモデル予測制御の基礎から応用展開まで


最適制御の基礎と数値解法の考え方を解説した上で、モデル予測制御の問題設定、実時間アルゴリズム、そして最先端の応用事例について解説します。実際に応用する際の手順がイメージできるよう、簡単な例題を交えて説明します。詳細は、こちら
日程 : 2016年6月6日
会場 : BIZ新宿 (東京・西新宿)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ