アナログ エレクトロニクスを支える基盤技術
 

IR、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が1.7Vと低い600V耐圧のIGBTを発売

山下 勝己=テクニカル・ライター
2012/10/15 15:25
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 米International Rectifier社は、コレクタ・エミッタ間飽和電圧(VCE(ON))が1.7V(標準値)と小さい+600V耐圧のIGBT(insulated gate bipolar transistor)を発売した。パッケージの違いで2製品を用意した。一つは、DRAKに封止した「IRGR4045DPBF」。もう一つは、D2PAKに封止した「IRGS4045PBF」である。いずれも薄型ウエハーを使ったフィールド・ストップ・トレンチ技術で製造した。同社によると、「従来品に比べると、スイッチング損失と導通損失の両方を削減できる。このため、電力密度の向上や、高周波動作での変換効率向上が実現できる」としている。

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