アナログ エレクトロニクスを支える基盤技術
 

Vishay、オン抵抗が9.4mΩと低い8V耐圧のパワーMOSFETを発売、実装面積は2mm×2mm

山下 勝己=テクニカル・ライター
2012/07/03 00:24
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 米Vishay Intertechnology, Inc.は、オン抵抗が9.4mΩ(ゲート・ソース間電圧が+4.5Vのときの最大値)と低い+8V耐圧のnチャネル・パワーMOSFET「SiA436DJ」を発売した。パッケージは、実装面積が2mm×2mmと小さいPowerPAK SC-70である。同社によると、「実装面積が2mm×2mmのnチャネル・パワーMOSFETでは、オン抵抗が同社従来品に比べて最大18%低く、競合他社品に比べて最大64%低い」という。スマートフォンやタブレット・パソコン、ノート・パソコンなどの負荷スイッチに向ける。

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