• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクスアナログ > Vishay、オン抵抗が9.4mΩと低い8V耐圧のパワーMOSFETを発売、実装面積は2mm×2mm

Vishay、オン抵抗が9.4mΩと低い8V耐圧のパワーMOSFETを発売、実装面積は2mm×2mm

  • 山下 勝己=テクニカル・ライター
  • 2012/07/03 00:24
  • 1/1ページ
 米Vishay Intertechnology, Inc.は、オン抵抗が9.4mΩ(ゲート・ソース間電圧が+4.5Vのときの最大値)と低い+8V耐圧のnチャネル・パワーMOSFET「SiA436DJ」を発売した。パッケージは、実装面積が2mm×2mmと小さいPowerPAK SC-70である。同社によると、「実装面積が2mm×2mmのnチャネル・パワーMOSFETでは、オン抵抗が同社従来品に比べて最大18%低く、競合他社品に比べて最大64%低い」という。スマートフォンやタブレット・パソコン、ノート・パソコンなどの負荷スイッチに向ける。
【技術者塾】(8/29開催)
技術とビジネスモデルの比較で描く、世界の半導体メーカー実力マップ

~欧米、アジア企業の実力値、日の丸半導体の強み・弱み、そして未来像を探る~


世界の半導体業界を技術の視点で俯瞰し、半導体メーカーの実力値を紹介します。その上で、日系半導体メーカーの強みの技術を示します。半導体関連企業が事業戦略を立てる上で欠かせない、半導体メーカーの技術力の将来展望を描きます。 詳細は、こちら
日程 : 2016年8月29日
会場 : Learning Square新橋
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ ↓スクロールすると、関連記事が読めます↓