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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】ルネサス、多層配線に埋め込めるIGZOトランジスタでインバータ回路を形成

【VLSI】ルネサス、多層配線に埋め込めるIGZOトランジスタでインバータ回路を形成

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/06/15 02:23
  • 1/1ページ
 「2012 Symposium on VLSI Technology」のセッションT14「Novel Passive and Active BEOL Technologies」では、ルネサス エレクトロニクスが多層配線に埋め込めるIGZO(InGaZnO)トランジスタを用いてインバータ回路を形成し、動作を確認した結果について報告した。講演タイトルは、「Operation of Functional Circuit Elements using BEOL-Transistor with InGaZnO Channel for On-chip High/Low Voltage Bridging I/Os and High-Current Switches」である[講演番号:T-14.3]。
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