• BPnet
  • ビジネス
  • IT
  • テクノロジー
  • 医療
  • 建設・不動産
  • TRENDY
  • WOMAN
  • ショッピング
  • 転職
  • ナショジオ
  • 日経電子版

HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】ルネサス、多層配線に埋め込めるIGZOトランジスタでインバータ回路を形成

【VLSI】ルネサス、多層配線に埋め込めるIGZOトランジスタでインバータ回路を形成

  • 木村 雅秀=日経エレクトロニクス
  • 2012/06/15 02:23
  • 1/1ページ
 「2012 Symposium on VLSI Technology」のセッションT14「Novel Passive and Active BEOL Technologies」では、ルネサス エレクトロニクスが多層配線に埋め込めるIGZO(InGaZnO)トランジスタを用いてインバータ回路を形成し、動作を確認した結果について報告した。講演タイトルは、「Operation of Functional Circuit Elements using BEOL-Transistor with InGaZnO Channel for On-chip High/Low Voltage Bridging I/Os and High-Current Switches」である[講演番号:T-14.3]。
【技術者塾】(6/16開催)
実用化迫る、自動運転支援のためのセンシング技術


安全で安心な自動運転車の実現に向けて、運転自動化支援に必要なセンシングアルゴリズムの基礎理論から、自動運転に向けたさまざまな応用技術、最近の話題などについて、分かりやすく解説します。詳細は、こちら
日程 : 2016年6月16日
会場 : 化学会館 7F(東京・御茶ノ水)
主催 : 日経エレクトロニクス

おすすめ