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HOMEエレクトロニクス電子デバイス > 【VLSI】不揮発性のワークメモリとして注目集めるSTT-MRAM、Samsungが20nm世代向け技術を発表

【VLSI】不揮発性のワークメモリとして注目集めるSTT-MRAM、Samsungが20nm世代向け技術を発表

  • 笠井 直記=東北大学
  • 2012/06/13 17:14
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 DRAMやSRAMといった既存のワークメモリは、微細化することで電力増大などの多くの問題が指摘されており、それらに変わる新たな不揮発性メモリの実用化が求められている。「2012 Symposium on VLSI Technology」のセッション7では、高速動作や無制限書き換えが可能なSTT-MRAM(スピン注入磁化反転型MRAM)の発表が大きな注目を集めた。

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